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風(fēng)華高科召開新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國家重點實驗室2023年學(xué)術(shù)委員會年度會議

11月2日，新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國家重點實驗室（以下簡稱“實驗室”）2023年學(xué)術(shù)委員會年度會議在風(fēng)華高科召開。本次會議通過“線上+線下”相結(jié)合的方式進行。出席會議的專家學(xué)者有學(xué)術(shù)委員會專家周濟院士（學(xué)術(shù)委員會主任委員）、李言榮院士（學(xué)術(shù)委員會副主任委員）、王恩哥院士（學(xué)術(shù)委員會副主任委員）、汪衛(wèi)華院士（學(xué)術(shù)委員會副主任委員）、成會明院士（學(xué)術(shù)委員會副主任委員）、董紹明院士（學(xué)術(shù)委員會副主

風(fēng)華高科召開新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國家重點實驗室2023年學(xué)術(shù)委員會年度會議

江蘇長晶發(fā)布FST2.0高性能 IGBT產(chǎn)品

江蘇長晶科技股份有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)。自2019年起，連續(xù)4年被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會評為 “功率器件十強企業(yè)”。2021年開始自主研發(fā)有著“工業(yè)CPU”之稱的IGBT，截至2023年Q3在家電/工業(yè)/新能源等行業(yè)實現(xiàn)8款產(chǎn)品市場應(yīng)用與批量供應(yīng)。特性簡介1. IGBT工藝平臺圖1 相同的電流電壓，不同代次芯片Vcesat&Ets表現(xiàn)「基于1200V/40A」2

江蘇長晶發(fā)布FST2.0高性能 IGBT產(chǎn)品

?新產(chǎn)品 –金屬箔啟動器片式電阻器(點火電阻) FIR系列

金屬箔啟動器片式電阻器（點火電阻），F(xiàn)IR系列...

?新產(chǎn)品 –金屬箔啟動器片式電阻器(點火電阻) FIR系列

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